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CMSC055N06
N沟道 60V 90A
- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，N沟道，耐压：60V,电流：90A,10V内阻：0.005mΩ,4.5V内阻：0.0085mΩ,功率：75W，Ciss（Typ）：1500pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC055N06
- 商品编号
- C45385348
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
CMSC055N06采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作通用低端场效应晶体管。
商品特性
-低导通电阻-驱动要求简单-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
-电机控制-DC/DC转换器
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