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CMD11N40B
N沟道 耐压:400V 电流:11A
- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：400V,电流：11A,10V内阻：0.56mΩ, 功率：100W，Ciss（Typ）：1400pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD11N40B
- 商品编号
- C45385085
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源-功率因数校正