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CMD20P09L
P沟道 -90V -20A
- 描述
- MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-90V,电流：-20A,10V内阻：0.145mΩ,4.5V内阻：0.165mΩ,功率：75W，Ciss（Typ）：6100pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD20P09L
- 商品编号
- C45385086
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
20P09L采用先进的工艺技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动器
- 开关稳压器