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CMB180P04G
P沟道 -40V -180A
- 描述
- MOS管，TO-263,P沟道，耐压：-40V,电流：-180A,10V内阻：0.004mΩ,4.5V内阻：0.0046mΩ,功率：350W，Ciss（Typ）：9800pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB180P04G
- 商品编号
- C45385081
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 830pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.8nF |
商品概述
180P04G采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。因此,该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制-LED控制器