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CMB40N20P
N沟道 200V 40A
- 描述
- MOS管，TO-263,N沟道，耐压：200V,电流：40A,10V内阻：0.065mΩ, 功率：160W，Ciss（Typ）：2700pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB40N20P
- 商品编号
- C45385083
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.707克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 382pF |
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