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CMD052N10
N沟道 100V 100A
- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：100V,电流：100A,10V内阻：0.0052mΩ,4.5V内阻：0.007mΩ,功率：120W，Ciss（Typ）：3600pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD052N10
- 商品编号
- C45385084
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
052N10采用先进的SGT技术,提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动器
- 开关应用