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CMB170P03A
P沟道 -30V -130A
- 描述
- MOS管，TO-263,P沟道，耐压：-30V,电流：-130A,10V内阻：0.0044mΩ,4.5V内阻：0.0058mΩ,功率：150W，Ciss（Typ）：4900pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB170P03A
- 商品编号
- C45385080
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.9nF |
商品概述
170P03A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-开关应用