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DOD5N20
N管/200V/5A/600MΩ/(典型470MΩ)
- 描述
- N管/200V/5A/600mΩ/(典型470mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD5N20
- 商品编号
- C45384966
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44304克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 200 V,漏极电流(ID) = 5 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 600 mΩ(典型值:470 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级(MSL)为3级