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DOD35P04
P管/-40V/-35A/16MΩ/(典型12MΩ)
- 描述
- P管/-40V/-35A/16mΩ/(典型12mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD35P04
- 商品编号
- C45384967
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种不同的应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V，漏极电流（ID） = -35 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16 mΩ，典型值为12 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的出色封装