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DOD80N06
N管/60V/80A/6.5MΩ/(典型5.5MΩ)
- 描述
- N管/60V/80A/6.5mΩ/(典型5.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD80N06
- 商品编号
- C45384965
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 272pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 60 V, ID = 80 A, RDS(ON) < 6.5 m Ω (在 VGS = 10 V 时,典型值为 5.5 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)