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IRFU210PBF实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFU210PBF

1个N沟道 耐压:200V 电流:2.6A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFU210PBF
商品编号
C467563
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.706克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V,1.6A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC@10V
输入电容(Ciss)140pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)53pF

数据手册PDF

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