IRFR9120TRPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:3.6A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK 设计用于采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直引脚版本(IRFU、SiHFU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达 1.5 W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR9120TRPBF
- 商品编号
- C467561
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK采用气相、红外或波峰焊接技术进行表面贴装设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9120、SiHFR9120)-直引脚(IRFU9120、SiHFU9120)-提供卷带包装-P沟道-快速开关-符合RoHS标准-无卤
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