FDME510PZT
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME510PZT
- 商品编号
- C463465
- 商品封装
- UDFN-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS7570S专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -5 A时,最大rDS(on) = 37 m Ω
- 在VGS = -2.5 V、ID = -4 A时,最大rDS(on) = 50 m Ω
- 在VGS = -1.8 V、ID = -3 A时,最大rDS(on) = 65 m Ω
- 在VGS = -1.5 V、ID = -2 A时,最大rDS(on) = 100 m Ω
- 低外形:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 > 2400V
- 符合RoHS标准
应用领域
-手机-其他超便携式应用-开关和线性模式应用