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DMT6008LFG-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:13A 60A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6008LFG-7
- 商品编号
- C461111
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.2W；41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.713nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为降低导通电阻（RDS(ON)）而设计，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗降至最低
- 出色的Qgd × RDS(ON)乘积(品质因数)
- 适用于DC/DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装,支持更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品更小
- 100%经过UIS(雪崩)额定测试
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
- 同步整流器
- 背光
- 电源管理功能
- DC - DC转换器