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ZXMC3F31DN8TA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A 电流:4.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMC3F31DN8TA
- 商品编号
- C461132
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V；12.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 608pF@15V；670pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF@15V；70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合用于电源管理和电池充电功能。
商品特性
- 低导通电阻
- 4.5V 栅极驱动能力
- 薄型 SOIC 封装
应用领域
- DC-DC 转换器
- 开关电源
- 负载开关
- 电机控制
- 背光