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ZXMN6A11GTA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMN6A11GTA

1个N沟道 耐压:60V 电流:4.4A

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描述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMN6A11GTA
商品编号
C461142
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.151克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.4A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@4.5V,2A
耗散功率(Pd)16W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)5.7nC@15V
输入电容(Ciss)330pF@40V
反向传输电容(Crss)17.1pF@40V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 快速开关速度
  • 低栅极驱动
  • 低输入电容
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中所述),具备高可靠性

应用领域

  • DC - DC转换器
  • 电源管理功能
  • 断开开关
  • 电机控制
  • 不间断电源

数据手册PDF