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ZXMN6A09DN8TA
2个N沟道 耐压:60V 电流:5.6A
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- 描述
- 这一代新型沟槽 MOSFET 采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，使其非常适合高效、低电压电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A09DN8TA
- 商品编号
- C461141
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,7.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.407nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适合用于高效、低电压电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- SOIC 封装
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能
- 断开开关
- 电机控制