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ZXMN10A08DN8TA
2个N沟道 耐压:100V 电流:2.1A
- 描述
- 这新一代沟槽式 MOSFET 采用了独特的结构，将低导通电阻与快速开关速度的优势相结合。这使其成为高效、低压电源管理应用的理想选择。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A08DN8TA
- 商品编号
- C461135
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28.2pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
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