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ZXMN2A04DN8TA
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2A04DN8TA
- 商品编号
- C461136
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
新一代TRENCH MOSFET采用独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适用于高效、低压电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-薄型SOIC封装
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制