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ZXMN6A07FQTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A07FQTA
- 商品编号
- C461139
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 166pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.7pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极电荷-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-继电器和螺线管驱动-电机控制