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DMTH43M8LPS-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH43M8LPS-13
- 商品编号
- C461121
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V；5mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.693nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.172nF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON)，可将导通损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC-Q），具有高可靠性
- 符合汽车应用标准的型号（DMTH43M8LPSQ）数据手册另行提供
应用领域
- 无刷直流电机-DC-DC转换器-负载开关