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DMTH6002LPS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH6002LPS-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

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描述
此MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH6002LPS-13
商品编号
C461122
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V,100A
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)130.8nC
输入电容(Ciss)6.555nF@30V
反向传输电容(Crss)187pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 不间断电源
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF