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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A；2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V；3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF；206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF；49.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 薄型封装,适用于轻薄应用
- 低 R\theta JA,散热高效的封装
- 占位面积 6 mm^2,比TSOP6和SOT23 - 6小50%
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- “无铅”,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
- MOSFET栅极驱动
- LCD背光逆变器
- 电机控制
- 便携式应用