温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A；2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@4.5V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 19.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V；3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@25V；206pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V；49.2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达 +175°C——适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试——确保终端应用更可靠、更稳健
- 散热高效的封装——应用运行时更凉爽
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——将导通损耗降至最低
- 封装高度<1.1mm——适用于轻薄型应用
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-开关-同步整流-DC-DC转换器