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DMTH6009LK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:59A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6009LK3-13
- 商品编号
- C461123
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.369克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- DIOFET采用独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基二极管单片集成在同一芯片上。
- 低RDS(ON) - 最小化传导损耗。
- 低V_SD - 减少体二极管导通引起的损耗。
- 低Q_RR - 集成肖特基二极管的低Q_RR可降低体二极管开关损耗。
- 低栅极电容（Q_g / Q_gs）比 - 降低高频下直通或交叉传导电流的风险。
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品。
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小。
- 100%经过UIS（雪崩）额定测试。
- 100%经过Rg测试。
- 完全无铅且符合RoHS标准。
- 无卤素和锑，是“绿色”器件。
- 符合AEC - Q101高可靠性标准。
- 另有符合汽车应用标准的产品（DMS3014SFGQ），数据手册单独提供。
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器