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DMTH6009LK3Q-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH6009LK3Q-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:14.2A 电流:59A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH6009LK3Q-13
商品编号
C461124
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.374克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)59A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V,59A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)33.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.925nF@30V
反向传输电容(Crss)41pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于电源管理功能、DC-DC转换器和背光照明。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 低导通电阻RDS(ON),确保导通状态损耗最小化
  • 具备出色的栅漏电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
  • 采用适用于DC-DC转换器的先进技术
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 无铅表面处理,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,属于“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 支持生产件批准程序(PPAP)

应用领域

  • 电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明

数据手册PDF