DMTH6009LK3Q-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:14.2A 电流:59A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6009LK3Q-13
- 商品编号
- C461124
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,59A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于电源管理功能、DC-DC转换器和背光照明。
商品特性
- 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
- 低导通电阻RDS(ON),确保导通状态损耗最小化
- 具备出色的栅漏电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 采用适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 支持生产件批准程序(PPAP)
应用领域
- 电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
