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DMTH6016LK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:46.9A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LK3-13
- 商品编号
- C461126
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 额定温度达 +175℃,适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON),确保导通损耗最小化
- 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
- 另有符合汽车应用标准的产品(DMTH6016LK3Q),数据手册单独提供
应用领域
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光源