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DMTH10H015LPS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:44A
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- 描述
- 新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件适用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H015LPS-13
- 商品编号
- C461116
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 261pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达 +175℃—— 适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关 —— 确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最小化导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤和无锑。“绿色”器件
- 该部件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具有高可靠性
应用领域
- 电机控制
- DC - DC转换器
- 电源管理