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DMTH10H025SK3-13实物图
  • DMTH10H025SK3-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH10H025SK3-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:46.3A

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描述
新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH10H025SK3-13
商品编号
C461117
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)46.3A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V;30mΩ@6V
耗散功率(Pd)3.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)21.4nC@10V
输入电容(Ciss)1.544nF
反向传输电容(Crss)20.4pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)250pF

商品概述

这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效电源管理应用。

商品特性

  • 100% 非钳位电感开关——确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低 RDS(ON)——最大限度降低功率损耗
  • 低 QG——最大限度降低开关损耗
  • 无铅镀层;符合 RoHS 标准
  • 无卤和无锑。“绿色”器件
  • 通过 AEC-Q101 标准认证,具备高可靠性

应用领域

  • 电源管理功能
  • 直流 - 直流转换器
  • 背光照明

数据手册PDF