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DMT6010LFG-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6010LFG-7

1个N沟道 耐压:60V

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描述
此MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6010LFG-7
商品编号
C461113
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)2.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)41.3nC
输入电容(Ciss)2.09nF@30V
反向传输电容(Crss)38.5pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度达+175℃,适用于高温环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低RDS(ON),最小化功率损耗
  • 低Qg,最小化开关损耗
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 另有符合汽车应用的产品(DMTH4004SCTBQ),数据手册单独提供

应用领域

  • 发动机管理系统
  • 车身控制电子设备
  • DC-DC转换器

数据手册PDF