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DMT6004LPS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:22A 90A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6004LPS-13
- 商品编号
- C461110
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.515nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 1.306nF |
商品概述
这种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持出色的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻（RDS(ON)）——确保导通损耗最小
- 小型封装和高热效率，适用于更高密度的终端产品
- 占用的印刷电路板（PCB）面积仅为小外形集成电路（SO-8）封装的 33%，有助于实现更小的终端产品
- 完全无铅，完全符合《有害物质限制指令》（RoHS）的要求
- 无卤素且无锑，是一款“绿色”器件
- 符合汽车电子委员会 AECQ101 标准，可靠性高
- 能够通过生产件批准程序（PPAP）
应用领域
-背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器