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DMT6002LPS-13实物图
  • DMT6002LPS-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6002LPS-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

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描述
此MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6002LPS-13
商品编号
C461109
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)130.8nC@10V
输入电容(Ciss)6.555nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 100%非钳位电感开关 - 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 散热高效封装 - 降低应用运行温度
  • 高转换效率
  • 低RDS(ON) - 最小化导通损耗
  • 封装高度<1.1mm – 适用于轻薄型应用
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 开关
  • 同步整流
  • DC-DC转换器

数据手册PDF