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DMT10H010LSS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:29.5A
- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关、背光照明、电源管理功能以及 DC-DC 转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H010LSS-13
- 商品编号
- C461106
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.166nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试
- 高转换效率
- 低 RDS(ON) — 最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理
- 负载开关
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC 转换器