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DMT10H015LPS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT10H015LPS-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:7.3A 电流:44A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT10H015LPS-13
商品编号
C461107
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.122克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)44A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V,44A
耗散功率(Pd)46W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)33.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.871nF@50V
反向传输电容(Crss)6.9pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

商品特性

  • 散热高效封装——适用于低温运行应用
  • 高转换效率
  • 低导通电阻RDS(ON)——最小化导通状态损耗
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 封装高度<1.1mm——适用于轻薄应用(PowerDI)
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤和无锑。“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具备高可靠性

应用领域

  • 电机控制-DC-DC转换器-电源管理

数据手册PDF