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DGD0506AM10-13

具有可编程死区时间的高频半桥栅极驱动器

描述: DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD0506AM10-13
商品编号: C460681
商品封装: MSOP-10
包装方式: 编带
商品毛重: 0.058克(g)

商品参数

商品概述

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。 DGD0506A逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU连接。高端和低端的欠压锁定（UVLO）功能可在电源丢失时保护MOSFET。为保护MOSFET，交叉导通防止逻辑可防止HO和LO输出同时导通。快速且匹配良好的传播延迟允许实现更高的开关频率，从而能够使用更小的相关组件进行更小、更紧凑的功率开关设计。DGD0506A采用W-DFN3030-10和MSOP-10封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。

商品特性

50V浮动高端驱动器，以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
1.5A源极/2.0A灌电流输出能力
内置自举二极管
高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
可编程死区时间，用于保护MOSFET
逻辑输入（IN和EN）支持3.3V
超低待机电流（<1μA）
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC-DC转换器
电机控制
电池供电的手动工具
电子烟设备D类功率放大器

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交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 10000 个)

个

起订量：10000 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交38单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	1.5A

	属性	参数值
	工作电压	8V~14V
	上升时间(tr)	17ns
	下降时间(tf)	12ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	280uA