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DGD2110S16-13
高端和低端栅极驱动器
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- 描述
- DGD2110 和 DGD2113 是高压/高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端输出。高端驱动器具备浮动电源，可在高达 500V/600V 的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为 10ns（最大值）/20ns（最大值），支持高频操作
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD2110S16-13
- 商品编号
- C460698
- 商品封装
- SOP-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 13ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 600nA |
商品概述
DGD2110和DGD2113是高压/高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端输出。高端驱动器采用浮动电源，可在高达500V/600V的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为10ns（最大值）/20ns（最大值），支持高频操作。 DGD2110和DGD2113的逻辑输入与标准CMOS电平（低至3.3V）兼容，而驱动器输出采用高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。 DGD2110和DGD2113采用16引脚SO（TH型）封装。它们的工作温度范围扩展至 -40℃至 +125℃。
商品特性
- 以高端/低端配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 浮动高端可工作至600V
- 典型输出电流：灌电流2.5A/拉电流2.5A
- 输出可耐受负瞬变
- 宽栅极驱动器电源电压范围：10V至20V
- 宽逻辑输入电源电压范围：3.3V至20V
- 宽逻辑电源偏置电压范围： -5V至5V
- 带1000pF负载时，上升时间为15ns（典型值）/下降时间为13ns（典型值）
- 导通延迟时间为105ns（典型值）/关断延迟时间为94ns（典型值）
- 逐周期边沿触发关断电路
- 扩展温度范围： -40℃至 +125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准，无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- DC-AC逆变器
- AC-DC电源
- 电机控制
- D类功率放大器