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DMTH8012LPSW-13
1个N沟道 耐压:80V 电流:53.7A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH8012LPSW-13
- 商品编号
- C460712
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.949nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（R_DS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON) — 确保导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，有助于缩小终端产品尺寸
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- DC - DC转换器