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DMC2038LVTQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2038LVTQ-7
- 商品编号
- C460966
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A；3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V；57mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@4.5V；7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF；530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF；70pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光源