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DGD21814S14-13

高端和低端栅极驱动器

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描述: DGD21814是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21814的高端在自举操作中可切换至600V。DGD21814的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD21814S14-13
商品编号: C460703
商品封装: SO-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

商品概述

DGD21814是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21814的高端在自举操作中可切换至600V。 DGD21814逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通。 DGD21814采用SO - 14封装，工作温度范围为 - 40℃至 + 125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
1.9A源电流 / 2.3A灌电流输出能力
输出耐受负瞬变
宽低端栅极驱动器和逻辑电源：10V至20V
逻辑输入（HIN和LIN）支持3.3V
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器欠压锁定
扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC - DC转换器
DC - AC逆变器
AC - DC电源
电机控制
D类功率放大器

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优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.9A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	工作温度	-40℃~+125℃