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DGD2304S8-13

半桥栅极驱动器

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描述: DGD2304是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2304的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD2304S8-13
商品编号: C460710
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.32克(g)

商品参数

商品概述

DGD2304是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2304的高端在自举操作中能够切换至600V。 DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通。100ns的内部死区时间可保护高压MOSFET免受直通影响。 DGD2304采用SO - 8封装，工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。

商品特性

自举操作中的浮动高端驱动器，可在半桥配置下驱动两个N沟道MOSFET或IGBT，最高可达600V
290mA源极/600mA灌电流输出能力
输出可耐受负瞬变
内部逻辑和死区时间（100ns）保护MOSFET
逻辑输入（HIN和LIN）支持3.3V
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器欠压锁定
扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC - DC转换器
DC - AC逆变器
AC - DC电源
电机控制
D类功率放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	95ns
	传播延迟 tpHL	100ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	260uA