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DGD2003S8-13
DGD2003S8-13
- 描述
- DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。DGD2003的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD2003S8-13
- 商品编号
- C460686
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 350uA |
商品概述
DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。 DGD2003逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。DGD2003具有420ns（典型值）的固定内部死区时间。 DGD2003采用SO - 8封装，工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。
商品特性
- 自举操作中浮动高端驱动器可达200V
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
- 290mA源极/600mA灌电流输出能力
- 输出可耐受负瞬变
- 420ns内部死区时间以保护MOSFET
- 宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
- 逻辑输入（HIN和LIN*）支持3.3V
- 施密特触发逻辑输入
- 高端和低端驱动器欠压锁定
- 扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池动力工具和电器
- 轻型电动车（LEV）
- 逆变器
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单