温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- DGD2104M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。
- 高压处理技术使DGD2104M的高端在自举操作中可切换至600V。
- DGD2104M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。
- 驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。
- DGD2104M采用SO - 8封装，工作温度范围扩展至 - 40℃至 + 125℃。
应用领域
- 自举操作中高达600V的浮动高端驱动器
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- DC - DC转换器
- DC - AC逆变器
- AC - DC电源
- 电机控制
- D类功率放大器