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DGD2101MS8-13

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描述: DGD2101M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2101M的高端在自举操作中能够切换至600V。高端和低端驱动器之间50ns（最大值）的传播延迟匹配，可实现高频开关
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD2101MS8-13
商品编号: C460688
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

DGD2101M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2101M的高端在自举操作中可切换至600V。高端和低端驱动器之间50ns（最大值）的传播延迟匹配允许进行高频开关。 DGD2101M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器交叉导通。低端栅极驱动器和逻辑共用一个接地端。 DGD2101M采用节省空间的SO-8封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以高端/低端配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT，输出可耐受负瞬变
宽范围低端栅极驱动器和逻辑电源：10V至20V
逻辑输入与CMOS和TTL兼容（低至3.3V）
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
VCC欠压锁定
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC-DC转换器
DC-AC逆变器
AC-DC电源
电机控制
D类功率放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	35ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	150uA