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DGD2103MS8-13
半桥栅极驱动器
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- 描述
- DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD2103MS8-13
- 商品编号
- C460691
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 350uA |