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DGD0636MS28-13
DGD0636MS28-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0636MS28-13
- 商品编号
- C460683
- 商品封装
- SO-28-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.876克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 350mA | |
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 90ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.1mA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
DIODEsM DGD0636M是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，用于半桥配置中驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0636M的高端在自举操作中能够切换至100V。 DGD0636M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，且低电平使能，以便在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。 DGD0636M提供多种保护功能。直通保护逻辑可防止在两个输入均为高电平时两个输出同时为高（故障状态）。VCC欠压锁定功能会关闭相应的高端输出。过流保护会终止六个输出。VCC欠压锁定和过流保护都会触发自动故障清除，其定时可通过外部电容进行调节。 DGD0636M采用SO - 28（TH型）封装，工作温度范围为 - 40°C至 + 125°C。
商品特性
- 三个浮动高端驱动器，自举操作可达100V
- 200mA源电流/350mA灌电流输出能力
- 输出可耐受负瞬变，抗dV/dt干扰
- 逻辑输入支持3.3V
- 290ns的内部死区时间，用于保护MOSFET和IGBT
- 所有通道的传播延迟匹配
- 输出与输入反相
- 施密特触发逻辑输入
- 交叉导通预防逻辑
- 所有通道均有欠压锁定功能
- 过流保护可关闭驱动器
- 扩展温度范围： - 40°C至 + 125°C
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 三相电机逆变器驱动器
- 无刷直流电机驱动器
- 工业电机逆变器
- 电动工具
- 机器人