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STP120N4F6
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP120N4F6
- 商品编号
- C457462
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些器件为采用第六代STripFETTM DeepGATETM技术开发的N沟道功率MOSFET,具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用