IRLML6244TRPBF(ES)
N沟道，20V，6.8A，16mΩ@4.5V,4A，0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRLML6244TRPBF(ES)
- 商品编号
- C42412333
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 712pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF@10V |
商品概述
IRLML6244TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻 (RDS(ON))。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 IRLML6244TRPBF(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 20V，栅源电压 (VGS) = 4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 16 mΩ（典型值）
- 栅源电压 (VGS) = 2.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 20 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻 (RDS(on))
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 静电放电保护
- 低泄漏电流
应用领域
- 脉冲宽度调制 (PWM) 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换
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