温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP3056L-7(ES)
P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- DMP3056L - 7(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关以及充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMP3056L-7(ES)
- 商品编号
- C42412332
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
DMP3056L-7(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 DMP3056L-7(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 30V,VGS = -10V 时,RDS(ON) = 46 mΩ(典型值)
- VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 62 mΩ(典型值)
- 快速开关
- 采用高密度单元设计,实现低 RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换
相似推荐
其他推荐
- IRLML6244TRPBF(ES)
- ESQQ13P04
- SI7617DN(ES)
- SI2304DDS-T1-GE3(ES)
- SI2304DDS-T1-BE3(ES)
- SI2347DS-T1-GE3(ES)
- 2N7002P,215(ES)
- NTJD4001NT1G(ES)
- SI1304BDL(ES)
- ESP2301LT1G(ES)
- ESPM3401-3/TR
- DMG1012UW-7(ES)
- IRLML9301TRPBF(ES)
- IRFR3410TRPBF(ES)
- AONR21321(ES)
- DMG2305UX-7(ES)
- ESPM2341-3/TR
- ESGNH10R17
- AO4409A(ES)
- DMP1045U-7(ES)
- IRLML0060TRPBF(ES)