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ESPM3021-8/TR

P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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描述: ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
品牌名称: ElecSuper(静芯)
商品型号: ESPM3021-8/TR
商品编号: C42412331
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1815克(g)

商品参数

ESPM3021-8/TR 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESPM3021-8/TR 为无铅产品。

-30V，栅源电压（VGS） = -10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9.5mΩ（典型值）；栅源电压（VGS） = -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 14mΩ（典型值）
快速开关
高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
材料：无卤素
可靠耐用
雪崩额定
低漏电流