HDMP4065S
HDMP4065S
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的漏极电流（ID），适用于需要稳定电流处理的设计。其最大工作电压（VDSS）为40V，提供可靠的高压防护。导通电阻（RDSON）为68毫欧，有助于在导通期间减少发热和功率损耗。栅源电压（VGS）的绝对值可达20V，使得它易于与其他逻辑元件集成。该MOSFET可用于消费电子产品中的电源路径管理、电池保护电路及信号调节等场合。(DMP4065S-7)
- 商品型号
- HDMP4065S
- 商品编号
- C42401163
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028947克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥0.351985￥0.4141
50+￥0.34425￥0.405
150+￥0.339065￥0.3989
500+￥0.33388￥0.3928￥1178.4
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库存总量
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购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个3000个/圆盘
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