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HBSC098N10NS5ATMA1
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的最大漏极电流（ID），支持高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下操作，适合用于需要高效电力转换的应用中。此MOSFET适用于各种电源管理解决方案，例如在消费电子产品的开关模式电源（SMPS）中作为功率级元件，或是在便携设备中充当负载开关，确保了电路的可靠性和效率。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电子装置的理想选择。
- 商品型号
- HBSC098N10NS5ATMA1
- 商品编号
- C42401096
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.140404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
HBSC098N10NS5ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用